Photoluminescence features of few-layer hexagonal α-In 2 Se 3
Source abstract
Abstract
Temperature- and time-dependent photoluminescence studies of layered α-In 2 Se 3 allowed us to observe defect-assisted and exciton-related bands. Distinct components, attributed to direct and phonon-assisted indirect transitions were determined.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · 2D Materials and Applications · Quantum Dots Synthesis And Properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia
Funding
Russian Science Foundation
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