Terahertz spectroscopic characterization of Ge 3 Sb 2 Te 6 compounds for active applications
Source abstract
Abstract
Using THz time-domain spectroscopy, we measure the refractive index and conductivity of Ge 3 Sb 2 Te 6 in the THz, which exhibits lower losses throughout the metal-to-insulator transition and higher thermal robustness than the commonly used Ge 2 Sb 2 Te 5 .
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Phase-change materials and chalcogenides · Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Advanced Semiconductor Detectors and Materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Nanophotonics Technology Center, Universidad Politecnica de Valencia, Valencia, Spain
DAS Photonics, S.A., Valencia 46022, Spain
Monodon, Navantia, S.A., S.M.E., Madrid 28005, Spain
Funding
H2020 Marie Sklodowska-Curie Actions · Agencia Estatal de Investigación
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