Selective phase growth of van der Waals high- κ Sb 2 O 3 films
Source abstract
Abstract
Oxygen-assisted PLD enables phase-selective growth of wafer-scale α-/β-Sb 2 O 3 films with high dielectric constants (>100). Pure α-Sb 2 O 3 shows excellent dielectric properties, and its relaxation mechanisms are elucidated.
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Research context
OpenAlex topics: Catalysis and Oxidation Reactions · Catalytic Processes in Materials Science · Transition Metal Oxide Nanomaterials
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Affiliations
Department of Physics, The University of Hong Kong, Hong Kong 999077, China
Institute of Microelectronics and Integrated Circuits, School of Microelectronics, Hubei University, Wuhan 430062, China
Emerging Device and Chip Laboratory, Hangzhou Institute of Technology, Xidian University, Hangzhou 311200, China
School of Chemistry, South China Normal University, Guangzhou 510006, China
Department of Physics, University of Toronto, 60 St George St, Toronto, ON M5S1A7, Canada
State Key Laboratory of Materials Processing and Die and Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China
Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong 999077, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Innovation and Technology Fund · Special Project for Research and Development in Key areas of Guangdong Province
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