Localized redox filament formation in biopolymer-based RRAM devices for in-memory volatile molecule sensing
Source abstract
Abstract
Memristors and resistive random-access memory (RRAM) utilize a range of active ions, material compositions, and structural designs, each influencing switching performance in different ways.
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Research context
OpenAlex topics: Analytical Chemistry and Sensors · Advanced Memory and Neural Computing · Advanced Chemical Sensor Technologies
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Affiliations
Department of Semiconductor Systems Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul, 05006, Republic of Korea
Institute of Semiconductor and System IC, Sejong University, Seoul, 05006, Republic of Korea
Funding
Institute for Information and Communications Technology Promotion · Ministry of Trade, Industry and Energy
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