Interface engineering of 2D van der Waals heterostructures for high-temperature optical communication
Source abstract
Abstract
We employed hBN encapsulated MoS 2 and WSe 2 /MoS 2 p–n junctions, resulting in enhanced operation stability at temperatures above 500 K. These findings can pave the way for the development of 2D FETs and photodiodes in extreme environments.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Nanowire Synthesis and Applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
College of Physics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Key Laboratory of Aerospace Information Materials and Physics (NUAA), MIIT, Nanjing 211106, China
National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China
Henan Key Laboratory of Rare Earth Functional Materials, Zhoukou Normal University, Zhoukou 466001, China
National Key Laboratory of Science and Technology on Test Physics and Numerical Mathematics, Beijing 100190, China
School of Engineering, College of Systems & Society, The Australian National University, Canberra, Australian Capital Territory, Australia
Funding
National Natural Science Foundation of China · Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
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