Valley topological phase transitions under the combined effects of electronic correlation and strain in the H-TiSeBr monolayer
Source abstract
Abstract
By reducing the electronic correlation, the H-TiSeBr monolayer can sustain the valley-polarized quantum anomalous Hall state within a broader strain range.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · MXene and MAX Phase Materials · Advanced Thermoelectric Materials and Devices
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Affiliations
Department of Physics, Yunnan University, Kunming 650091, People's Republic of China
Hunan Provincial Key Laboratory of Intelligent Sensors and Advanced Sensor Materials, School of Physics and Electronics, Hunan University of Science and Technology, Xiangtan 411201, Hunan, P. R. China
Materials Genome Institute, School of Materials and Energy, Yunnan University, Kunming 650091, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Yunnan Provincial Department of Education · Education Department of Hunan Province
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