Carrier generation and compensation mechanism in La 2 SnO 2 S 3
Source abstract
Abstract
A combined computational and experimental study of La 2 SnO 2 S 3 reveals carrier generation and compensation mechanisms associated with its moderate n-type conductivity, where hydrogen impurities and electron self-trapping play crucial roles.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Electronic and Structural Properties of Oxides · Magnetic and transport properties of perovskites and related materials · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8501, Japan
MDX Research Center for Element Strategy, International Research Frontiers Initiative, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8501, Japan
Funding
Japan Science and Technology Agency · Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology · Japan Society for the Promotion of Science · Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology
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