Te and Ge solid-state reaction: comparison between the 2D and 3D growth of α-GeTe
Source abstract
Abstract
Te–Ge reactive diffusion has been studied by in situ XRD, in situ TEM, and atom probe tomography in a sample made of a poly-Te layer deposited on an amorphous Ge layer, and compared to the reverse case of an a-Ge layer deposited on a poly-Te layer.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Phase-change materials and chalcogenides · Semiconductor materials and interfaces
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Affiliations
Aix Marseille Univ., CNRS, IM2NP UMR7334, Campus Scientifique de St Jérôme, 13397, Marseille cedex 20, France
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920, Crolles, France
Funding
Association Nationale de la Recherche et de la Technologie
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