The origin and nature of killer defects in 3C-SiC for power electronic applications by a multiscale atomistic approach
Source abstract
Abstract
Dislocation complexes are identified as killer defects in 3C-SiC/Si(001) by a synergistic approach of molecular dynamics and ab initio simulations.
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Research context
OpenAlex topics: Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Semiconductor materials and devices · Copper Interconnects and Reliability
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Affiliations
L-NESS and Department of Materials Science
Università degli Studi di Milano-Bicocca
Milano
Italy
V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics
L-NESS and Department of Physics
Funding
H2020 LEIT Advanced Materials
References (69)
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