Quantitative characterization of interface stress using a nanoindentation technique for high performance flexible electronics
Source abstract
Abstract
A simple method was introduced to precisely characterize the interface stress of flexible OFETs using nanoindentation. The interface stress could be tuned by controlling the interface adhesion energy between layers, via controlling the film formation process.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Metal and Thin Film Mechanics · Semiconductor materials and devices · Diamond and Carbon-based Materials Research
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Institute of Optoelectronic Display
National & Local United Engineering Lab of Flat Panel Display Technology
Fuzhou University
Fuzhou 350002
China
Funding
National Natural Science Foundation of China · National Basic Research Program of China
References (59)
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