Dual-Schottky heteroepitaxial Nb:SrTiO 3 /TiN/Si for high-performance broadband photodetection across the UV–IR spectrum
Source abstract
Abstract
This work achieves balanced UV–IR photodetection via heteroepitaxial dual-Schottky Nb:SrTiO 3 /TiN/Si. The TiN interlayer enables high-quality Nb:SrTiO 3 growth for UV absorption and induces LSPR to boost plasmonic IR absorption.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · Perovskite Materials and Applications · 2D Materials and Applications
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Affiliations
College of New Energy and Materials, China University of Petroleum, Beijing, 102249, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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