Annealing-free Ohmic contact of β-Ga 2 O 3 via nitrogen plasma treatment
Source abstract
Abstract
High-quality Ohmic contact was achieved via direct nitrogen plasma treatment, significantly enhancing β-Ga 2 O 3 mobility (76 cm 2 V −1 s −1 ) and on/off ratio (1.7 × 10 10 ), demonstrating strong potential for future ultra-scaled integrated circuits.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices · GaN-based semiconductor devices and materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), Seongsan-gu, Changwon-si, Gyeongsangnam-do 51543, Republic of Korea
Department of Chemical and Biological Engineering, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea
Funding
Defense Acquisition Program Administration · Ministry of Trade, Industry and Energy
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