Experimental and DFT study of boron nitride films grown on SiO 2 /Si substrates via chemical vapor deposition
Source abstract
Abstract
The hysteresis phenomena of I – V curves are reduced for graphene devices based on BN direct growth on SiO 2 /Si substrate.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Boron and Carbon Nanomaterials Research · Metal and Thin Film Mechanics · Semiconductor materials and devices
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, School of Integrated Circuits, Southeast University, 210096, Nanjing, China
School of Mechanical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China
School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Jiangsu Postdoctoral Research Foundation
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