Exploring structure and thermoelectric properties of p-type Ge 1− x In x Sb 4 Te 7 compounds
Source abstract
Abstract
We determined that GeSb 4 Te 7 -based compounds exhibit site-occupational disorder of Ge/Sb cations and that In-doping significantly lowers the thermal conductivity, enhances the Seebeck coefficient, and improves the power factor of pristine GeSb 4 Te 7 .
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Phase-change materials and chalcogenides · Advanced Thermoelectric Materials and Devices · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Materials Science and Engineering, Northeastern University, Shenyang 110819, China
Ji Hua Laboratory, Foshan, 528200, China
School of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xi’an, 710119, China
South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China
School of Mechatronic Engineering and Automation, Foshan University, Foshan, 528225, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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