The line defects in two-dimensional Bi 2 O 2 S: enhanced photocurrents in the infrared region
Source abstract
Abstract
The line defects in 2D Bi 2 O 2 S can lead to typical metallized phenomena or tunable band gaps, and some line defects have rich photoelectronic properties such as the enhanced photocurrent in the infrared region.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Gas Sensing Nanomaterials and Sensors · Advanced Photocatalysis Techniques
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Affiliations
College of Physics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China
Key Lab of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China
College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China
Funding
Shanxi Scholarship Council of China · Natural Science Foundation of Shanxi Province · National Natural Science Foundation of China
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