A temperature dependent power-law drain current model for coplanar OFETs
Source abstract
Abstract
We present a drain current model for coplanar OFETs considering temperature dependent power-law mobility and contact resistance. This model enables analyzing the electrical characteristics of an OFET based on the spatially random Gaussian disorder model.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Semiconductor materials and interfaces
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces (LPICM), École Polytechnique, IP Paris, Palaiseau 91120, France
Semiconductor Devices and Circuits Laboratory, Advanced Institute of Convergence Technology (AICT), Seoul National University, Suwon-si 16229, Republic of Korea
Funding
National Research Foundation of Korea
References (42)
Show source-provided references
1. van de Burgt · Nat. Electron. · 2018 · 1 · 38610.1038/s41928-018-0103-3 ↗
2. Loo · MRS Bull. · 2008 · 33 · 65310.1557/mrs2008.149 ↗
3. Shaw · IBM J. Res. Dev. · 2001 · 45 · 310.1147/rd.451.0003 ↗
4. Kim · Science · 2018 · 360 · 99810.1126/science.aao0098 ↗
5. Kang · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2013 · 5 · 230210.1021/am302796z ↗
6. Jung · J. Phys. D: Appl. Phys. · 2019 · 52 · 44400510.1088/1361-6463/ab3716 ↗
7. Kim · IEEE Trans. Electron Devices · 2014 · 61 · 27810.1109/TED.2013.2281054 ↗
8. Karimi-Alavijeh · J. Appl. Phys. · 2017 · 121 · 10550110.1063/1.4978063 ↗
9. Liu · Phys. Rev. Appl. · 2017 · 8 · 03402010.1103/PhysRevApplied.8.034020 ↗
10. Jung · IEEE Trans. Electron Devices · 2019 · 66 · 489410.1109/TED.2019.2941564 ↗
11. Li · Microelectron. Eng. · 2018 · 195 · 6210.1016/j.mee.2018.04.002 ↗
12. Kim · Solid. State. Electron. · 2019 · 153 · 2310.1016/j.sse.2018.12.014 ↗
13. Kwon · ACS Nano · 2016 · 10 · 1032410.1021/acsnano.6b06041 ↗
14. Horowitz · J. Phys. III · 1995 · 5 · 355
15. Horowitz · J. Appl. Phys. · 2000 · 87 · 445610.1063/1.373091 ↗
16. Lee · Phys. Rev. Appl. · 2021 · 15 · 02402110.1103/PhysRevApplied.15.024021 ↗
17. Jung · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2016 · 8 · 1470110.1021/acsami.6b00480 ↗
18. Jung · IEEE Trans. Electron Devices · 2021 · 68 · 30710.1109/TED.2020.3035494 ↗
19. Arkhipov · J. Phys.: Condens. Matter · 2002 · 14 · 9899
20. Baranovskii · Phys. Status Solidi · 2018 · 215 · 170067610.1002/pssa.201700676 ↗
21. Lee · J. Phys. D. Appl. Phys. · 2021 · 54 · 09510910.1088/1361-6463/abcbbf ↗
22. J.Hölzl , F. K.Schulte , in Work function of metals , ed. J. Hölzl , F. K. Schulte , H. Wagner , Solid Surface Physics. Springer Tracts in Modern Physics , Springer , Berlin, Heidelberg . 1979 , vol. 85 10.1007/BFb004891910.1007/BFb0048919 ↗
23. Jung · J. Phys. D: Appl. Phys. · 2015 · 48 · 03510610.1088/0022-3727/48/3/035106 ↗
24. Kim · J. Appl. Phys. · 2011 · 109 · 1
25. Lang · Phys. Rev. Lett. · 2004 · 93 · 810.1016/j.physleta.2004.09.053 ↗
26. Campbell · Acta Crystallogr. · 1961 · 14 · 70510.1107/S0365110X61002163 ↗
27. Nenashev · J. Phys.: Condens. Matter · 2015 · 27 · 093201
28. Jain · IEE Proc., Part I: Solid-State Electron Devices · 1988 · 135 · 162
29. Wang · IEEE Electron Device Lett. · 2013 · 34 · 130110.1109/LED.2013.2278012 ↗
30. Jung · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 96 · 94
31. Kim · IEEE Trans. Electron Devices · 2013 · 60 · 28010.1109/TED.2012.2226887 ↗
32. Liu · J. Phys. Chem. C · 2013 · 117 · 1233710.1021/jp4023844 ↗
33. Mosser · IEEE Int. Conf. Microelectron. Test Struct. · 2015 · 122
34. Estrada · Microelectron. Eng. · 2010 · 87 · 256510.1016/j.mee.2010.07.018 ↗
35. Tanase · Phys. Status Solidi · 2004 · 201 · 123610.1002/pssa.200404340 ↗
36. Letizia · Adv. Funct. Mater. · 2010 · 20 · 5010.1002/adfm.200900831 ↗
37. Sun · J. Appl. Phys. · 2013 · 113 · 19450610.1063/1.4807159 ↗
38. Lassnig · J. Appl. Phys. · 2014 · 116 · 11450810.1063/1.4895992 ↗
39. Baranovskii · Phys. Status Solidi · 2014 · 251 · 48710.1002/pssb.201350339 ↗
40. Vissenberg · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1998 · 57 · 1296410.1103/PhysRevB.57.12964 ↗
41. Minari · J. Appl. Phys. · 2006 · 99 · 110.1063/1.2169872 ↗
42. Butko · Appl. Phys. Lett. · 2003 · 83 · 477310.1063/1.1631736 ↗