Deprotonation and vacancies at the CH 3 NH 3 PbI 3 /ZnO and CH 3 NH 3 PbI 3 /GaN interfaces, detected in their theoretical XANES
Source abstract
Abstract
Fingerprints of dehydrogenation and atomic vacancies at the MAPbI 3 /ZnO and MAPbI 3 /GaN interfaces in their theoretical XANES.
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Research context
OpenAlex topics: Perovskite Materials and Applications · GaN-based semiconductor devices and materials · Ga2O3 and related materials
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Affiliations
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
01-142 Warsaw
Poland
Funding
Narodowe Centrum Nauki
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