Carrier lifetime killer in 4H-SiC: carrier capture path via carbon vacancies
Source abstract
Abstract
The carrier capture path via carbon vacancies in 4H-SiC is comprehensively investigated, and a metastable spin-triplet state is found to be a key transition state for carrier recombination.
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Research context
OpenAlex topics: Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Copper Interconnects and Reliability · Thin-Film Transistor Technologies
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Affiliations
State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials & School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
Key Laboratory of Power Semiconductor Materials and Devices of Zhejiang Province & Institute of Advanced Semiconductors, ZJU-Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang University, Hangzhou 311200, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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