Controllable spin direction in nonmagnetic BX/MX 2 (M = Mo or W; X = S, Se and Te) van der Waals heterostructures by switching between the Rashba splitting and valley polarization
Source abstract
Abstract
A schematic of the spin FET based on the BSe/MoSe 2 heterostructure. The Rashba-type spin splitting can be evoked by a positive electric field and the spin/valley Hall effect is controlled by a negative electric field.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Topological Materials and Phenomena · MXene and MAX Phase Materials
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Affiliations
Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China
Funding
Natural Science Foundation of Tianjin City · National Natural Science Foundation of China
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