Crystalline characteristics and solar-blind photodetecting performances of β-Ga 2 O 3 film grown on silicon thermal oxide wafer using an EBV method
Source abstract
Abstract
With an EBV technique and post-annealing method, solar-blind photodetectors of β-Ga 2 O 3 film were fabricated on silicon thermal oxide wafers.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · ZnO doping and properties · Advanced Photocatalysis Techniques
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Affiliations
Shaanxi Province Key Lab of Thin Films Technology and Optical Test
School of Photo-Electrical Engineering
Xi’an Technological University
Xi’an 710021
China
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