Insights into the vacancy behaviour at the interface of As–Sb lateral heterostructures
Source abstract
Abstract
The interfacial vacancy behaviour was investigated in an LHS with a large lattice mismatch to gain insights into defect and interface engineering.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and interfaces · Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Phase-change materials and chalcogenides
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province
Jiangxi Science & Technology Normal University
Nanchang 330018
China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Education Department of Jiangxi Province
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