Interface-controlled integration of functional oxides with Ge
Source abstract
Abstract
2D phases at the interface are shown to control synthesis of functional oxide/germanium heterostructures. The long-standing problem of EuO integration with the Ge platform is solved.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Electronic and Structural Properties of Oxides · Ferroelectric and Piezoelectric Materials
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Affiliations
National Research Center “Kurchatov Institute”, Kurchatov Sq. 1, 123182 Moscow, Russia
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