Enhancement of the thermoelectric power factor by tuning the carrier concentration in Cu-rich and Ge-poor colusites Cu 26+x Nb 2 Ge 6−x S 32
Source abstract
Abstract
We demonstrate the high power factor (∼830 μW m −1 K −2 ) at 670 K for x = 0.5 in Cu 26+x Nb 2 Ge 6−x S 32 .
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Thermoelectric Materials and Devices · Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Phase-change materials and chalcogenides
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Affiliations
Research Institute for Energy Conservation
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Tsukuba
Ibaraki 305-8568
Japan
Department of Applied Science for Electronics and Materials
Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences
Kyushu University
Kasuga
Fukuoka 816-8580
Research Institute of Energy Frontier
Ibaraki 305-8569
Graduate School of Advanced Sciences of Matter
Hiroshima University
Higashi-Hiroshima
Hiroshima 739-8530
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