Scaled conductance quantization unravels the switching mechanism in organic ternary resistive memories
Source abstract
Abstract
Scaled conductance quantization phenomenon was observed in organic ternary memory. A new perspective to understand the nature of resistance switching in organic ternary memory devices was provided.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Neuroscience and Neural Engineering · Photoreceptor and optogenetics research
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
College of Chemistry
Chemical Engineering and Materials Science
Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology
National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials
Soochow University
National Centre for Mass Spectrometry in Beijing
CAS Key Laboratory of Analytical Chemistry for Living Biosystems
Institute of Chemistry
Chinese Academy of Sciences
Beijing 100190
Funding
Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions · National Natural Science Foundation of China
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