Localised nanoscale resistive switching in GaP thin films with low power consumption
Source abstract
Abstract
Resistive switching behaviour is observed for GaP thin films. Conductive AFM and FORC-IV measurements show that the current is localised at grain boundaries. The switching mechanism is driven by Ga migration along the grain boundaries.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Neuroscience and Neural Engineering
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Materials Science and Engineering
UNSW Sydney
NSW 2052
Australia
Department of Physics and Oxide Research Center
Hankuk University of Foreign Studies
Yongin 449-791
South Korea
Center for Nanophase Materials Sciences
Oak Ridge National Laboratory
Oak Ridge
USA
Department of Physics
References (48)
Show source-provided references
1. Waser · Adv. Mater. · 2009 · 21 · 263210.1002/adma.200900375 ↗
2. Yang · Nat. Nanotechnol. · 2012 · 8 · 1310.1038/nnano.2012.240 ↗
3. Jeong · J. Appl. Phys. · 2008 · 104 · 12371610.1063/1.3043879 ↗
4. Park · Appl. Phys. Lett. · 2008 · 93 · 04210210.1063/1.2963983 ↗
5. Kurnia · Appl. Phys. Lett. · 2013 · 102 · 15290210.1063/1.4802263 ↗
6. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 09350510.1063/1.3486460 ↗
7. Lanza · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 100 · 12350810.1063/1.3697648 ↗
8. Szot · Nat. Mater. · 2006 · 5 · 31210.1038/nmat1614 ↗
9. Bai · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2012 · 85 · 21410310.1103/PhysRevB.85.214103 ↗
10. Pirovano · IEEE Trans. Electron Devices · 2004 · 51 · 71410.1109/TED.2004.825805 ↗
11. Chen · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 08350210.1063/1.3483158 ↗
12. Chen · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2013 · 5 · 179310.1021/am303128h ↗
13. Krishnan · Adv. Mater. · 2015 · 28 · 64010.1002/adma.201504202 ↗
14. Katoda · J. Electron. Mater. · 1980 · 9 · 78310.1007/BF02652896 ↗
15. Malina · Cryst. Res. Technol. · 1982 · 17 · 33310.1002/crat.2170170312 ↗
16. Kaeriyama · IEEE J. Solid-State Circuits · 2005 · 40 · 16810.1109/JSSC.2004.837244 ↗
17. Kwon · Nat. Nanotechnol. · 2010 · 5 · 14810.1038/nnano.2009.456 ↗
18. Kim · Appl. Phys. Lett. · 2006 · 88 · 20210210.1063/1.2204649 ↗
19. Sawa · Appl. Phys. Lett. · 2004 · 85 · 407310.1063/1.1812580 ↗
20. Fujii · Appl. Phys. Lett. · 2005 · 86 · 01210710.1063/1.1845598 ↗
21. Waser · Nat. Mater. · 2007 · 6 · 83310.1038/nmat2023 ↗
22. Pan · Mater. Sci. Eng., R · 2014 · 83 · 110.1016/j.mser.2014.06.002 ↗
23. Sullaphen · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 100 · 20311510.1063/1.4714888 ↗
24. Yun · Phys. Status Solidi RRL · 2007 · 1 · 28010.1002/pssr.200701205 ↗
25. Son · Appl. Phys. Lett. · 2008 · 92 · 22210610.1063/1.2931087 ↗
26. Rana · Adv. Funct. Mater. · 2014 · 24 · 396210.1002/adfm.201400110 ↗
27. Kim · Solid State Commun. · 2009 · 149 · 161110.1016/j.ssc.2009.06.033 ↗
28. Qi · Sci. Rep. · 2013 · 3 · 240510.1038/srep02405 ↗
29. Han · J. Mater. Chem. · 2012 · 22 · 1846310.1039/c2jm33027j ↗
30. Kumar · Dalton Trans. · 2014 · 43 · 1185510.1039/C4DT01191K ↗
31. Gao · Nanoscale · 2015 · 7 · 603110.1039/C4NR06406B ↗
32. S. M. Sze and K.Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, Hoboken, NJ, USA, 2007
33. Strelcov · Nano Lett. · 2013 · 13 · 345510.1021/nl400780d ↗
34. Yang · Nano Lett. · 2015 · 15 · 106210.1021/nl5040286 ↗
35. Deutscher · J. Phys., Lett. · 1979 · 40 · 21910.1051/jphyslet:019790040010021900 ↗
36. Lee · Phys. Rev. Lett. · 2010 · 105 · 20570110.1103/PhysRevLett.105.205701 ↗
37. Yagil · Phys. Rev. Lett. · 1992 · 69 · 142310.1103/PhysRevLett.69.1423 ↗
38. Kwon · Nat. Nanotechnol. · 2010 · 5 · 14810.1038/nnano.2009.456 ↗
39. Park · Appl. Phys. Lett. · 2007 · 91 · 22210310.1063/1.2813617 ↗
40. Schindler · Appl. Phys. Lett. · 2008 · 92 · 12291010.1063/1.2903707 ↗
41. Brivio · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 101 · 22351010.1063/1.4769044 ↗
42. Ahn · Adv. Mater. · 2008 · 20 · 92410.1002/adma.200702081 ↗
43. Ye · Appl. Phys. Lett. · 2010 · 97 · 13210810.1063/1.3494267 ↗
44. Herderick · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 20350510.1063/1.3263733 ↗
45. He · Nano Lett. · 2011 · 11 · 460110.1021/nl202017k ↗
46. Cagli · Small · 2011 · 7 · 289910.1002/smll.201101157 ↗
47. Park · Sci. Rep. · 2016 · 6 · 2306910.1038/srep23069 ↗
48. Nardia · Solid-State Electron. · 2011 · 58 · 4210.1016/j.sse.2010.11.031 ↗