Nonvolatile resistive memory devices based on Ag
Source abstract
Abstract
Ag-based nonvolatile resistive memory devices are fabricated with the help of a simple soft-chemical process, which can transform Ag film into Ag2S/Ag nano-flake film. A very high ON/OFF ratio of 2.35 × 108 and satisfactory retention time of larger than 104 s are achieved. The redox reaction Ag+ (Ag2S) + e− → Ag at the Ag2S/Ag interface induced the filamentary conduction that is responsible for the observed memory effects.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Neuroscience and Neural Engineering
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
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