Memristors mimicking the regulation of synaptic plasticity and the refractory period in the phenomenological model
Source abstract
Abstract
Herein, a new function in the phenomenological model, namely the principle of refractory period function, is developed based on a W/ZnO/FTO memristor device.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Neuroscience and Neural Engineering · Photoreceptor and optogenetics research
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
National-Local joint engineering laboratory of new energy photovoltaic devices
Key Laboratory of Digital Medical Engineering of Hebei Province
College of Electron and Information Engineering
Hebei University
Baoding 071002
Department of Materials Science and Engineering
National University of Singapore
Singapore 117576
Singapore
Funding
National Natural Science Foundation of China · Hebei University
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