Role of vacancies to p-type semiconducting properties of SiGe nanowires
Source abstract
Abstract
On basis of the first-principle calculations, vacancies are proven to play important roles in p-type semiconducting properties of Si 1−x Ge x nanowires (NW) and Ge/Si core/shell NW.
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Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Semiconductor materials and interfaces · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
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Affiliations
School of Science and Engineering of Materials
Hefei University of Technology
Hefei, P. R. China
Department of Chemical Physics
University of Science and Technology of China
Department of Chemistry and Nebraska Center for Materials and Nanoscience
University of Nebraska-Lincoln
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