Metal-driven interface engineering enables multi-functionality in SrTiO 3 memristor devices
Source abstract
Abstract
Metal-dependent interface engineering in SrTiO 3 controls interfacial oxide formation and oxygen vacancy distribution. This enables reproducible enhancement of both resistive switching and unipolar NDR performance.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Electronic and Structural Properties of Oxides
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Affiliations
Institute for Microelectronics, Vienna University of Technology, Gusshausstrasse 27-29, 1040 Vienna, Austria
Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, 8092 Zurich, Switzerland
Silicon Austria Labs GmbH, Sandgasse 34, Graz A-8010, Austria
Samsung Electronics Inc., Hwasung-Si, Gyeonggi-Do, Republic of Korea
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