Modulation of oxygen vacancy filaments and crystal structure by thermal annealing for high-performance solution-processed HfZrO x resistive memory
Source abstract
Abstract
Thermal annealing optimizes oxygen vacancy content and structure in HZO WORM memory. Balancing leakage suppression with robust filament formation regulates resistive switching, achieving an ON/OFF current ratio of 10 7 .
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices
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Affiliations
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan
School of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea
Funding
National Science and Technology Council
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