A composition-dependent structural and gradually tunable bandgap of GeS 1− x Se x alloys synthesized via chemical vapor transport
Source abstract
Abstract
Composition-dependent strain evolution in CVT-grown GeS 1− x Se x alloys generates strain-disordered crystalline structures with abundant interfacial regions.
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Research context
OpenAlex topics: Phase-change materials and chalcogenides · Chalcogenide Semiconductor Thin Films · 2D Materials and Applications
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Affiliations
Department of Electronic Engineering, National Changhua University of Education, Changhua 500208, Taiwan, Republic of China
Department of Physics, National Changhua University of Education, Changhua 500207, Taiwan, Republic of China
Funding
National Science and Technology Council
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