A multimodal artificial sensory neuron realized by a bio-voltage-level threshold switching memristor
Source abstract
Abstract
We fabricated a threshold switching memristor (TSM) with a structure of Pt/Ag/Al 2 O 3 /HfO 2 /Ag NIs/Pt. Building upon this TSM, we further developed an artificial sensory neuron with spike amplitude encoding capabilities.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Neural Networks and Reservoir Computing
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Affiliations
Key Laboratory of Natural and Biomedical Polymer Materials (Education Department of Guangxi Zhuang Autonomous Region), Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, Key Laboratory of New Processing Technology for Nonferrous Metal & Materials, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, Jian Gan Road 12, Guilin 541004, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Scientific Research and Technology Development Program of Guangxi Zhuang Autonomous Region
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