Unveiling the capacitance overestimation of a HfO 2 –ZrO 2 solid solution at the morphotropic phase boundary
Source abstract
Abstract
A comprehensive electrical analysis reveals that the dielectric constant of HfO 2 -based thin film capacitors at the morphotropic phase boundary has been overestimated.
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Research context
OpenAlex topics: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices · Ferroelectric and Piezoelectric Materials
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Affiliations
Department of Materials Science Engineering, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, Republic of Korea
Department of Intelligence Semiconductor Engineering, Ajou University, Suwon, Gyeonggi, 16499, South Korea
Funding
Gyeonggi-do Regional Research Center · National Research Foundation of Korea
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