Achievement of high-performance MISIM-structured Ga 2 O 3 -based photodetectors via tailoring of the Al content in Al x Hf y O
Source abstract
Abstract
By tailoring Al content in Al x Hf y O insulating layers, high-performance Ga 2 O 3 solar-blind photodetectors with an ultra-low dark current of 11.28 fA and a short decay time of 90 ms are achieved, enabling a high-contrast 32 × 32 imaging array.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · Advanced Photocatalysis Techniques · Magnesium Oxide Properties and Applications
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Affiliations
School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, Xiamen, 361102, P. R. China
Shenzhen Research Institute of Xiamen University, Shenzhen, 518000, P. R. China
College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen, 361005, P. R. China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Shenzhen Science and Technology Innovation Program
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