Engineering charge transfer doping of MoSe 2 monolayers via epitaxial orientation-dependent surface electron accumulation in high- κ dielectric Gd 2 O 3 thin films
Source abstract
Abstract
An effective strategy for engineering doping concentration in TMDCs by utilizing epitaxial surface orientation of underlying dielectric layers promoted by oxygen vacancies on high- κ dielectric substrate surfaces.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Semiconductor materials and devices · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
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Affiliations
Materials Science Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur, 721302, India
Department of Physics, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India
Research and Education Institute for Semiconductors and Informatics, Kumamoto University, Kumamoto, 860-8555, Japan
Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz University of Hannover, D-30167 Hannover, Germany
Funding
Board of Research in Nuclear Sciences · Science and Engineering Research Board · Scheme for Promotion of Academic and Research Collaboration
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