Electrochemical epitaxial lift-off and transfer of InGaN/GaN heterostructure films for vertical micro-LED arrays
Source abstract
Abstract
A vertical Micro-LED array was fabricated via electrochemical epitaxial lift-off (EELO). Tafel analysis shows high EELO efficiency in HNO 3 , resulting in reduced n-GaN roughness. This stems from NO 2 dissolution kinetically accelerating GaN corrosion.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · Ga2O3 and related materials · ZnO doping and properties
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Foshan 528225, China
Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China
School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Institute of Semiconductor, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou 510631, China
Funding
Basic and Applied Basic Research Foundation of Guangdong Province · National Key Research and Development Program of China · National Natural Science Foundation of China
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