Intrinsic valley polarization and manipulation via interfacial coupling in a two-dimensional GdIBr/In 2 Se 3 van der Waals multiferroic heterojunction
Source abstract
Abstract
The valley polarization and bandgap opening behavior of the GdIBr/In 2 Se 3 heterojunction can be modulated via biaxial strain.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Perovskite Materials and Applications · Topological Materials and Phenomena
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Affiliations
Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate devices, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China
Funding
Natural Science Foundation of Tianjin Municipality
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