Natively oxidized 2D NbSe 2 enables ultralow-power electrical switching
Source abstract
Abstract
A threshold switching device with a NbSe 2 /Nb 2 O 5 functional layer was made by oxidizing 2D NbSe 2 . Leveraging Nb 2 O 5 's high resistivity and NbSe 2 's blocking effect on Ag ion diffusion, the device achieves low power and high endurance.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Advanced Memory and Neural Computing · Graphene research and applications
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
Hubei Yangtze Memory Laboratories, Wuhan, 430205, China
Department of Electrical and Electronic Engineering, the University of Hong Kong, Hong Kong, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Natural Science Foundation of Hubei Province · National Key Research and Development Program of China · Fundamental Research Funds for the Central Universities
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