Extrinsic doping of Hg 2 GeTe 4 in the face of defect compensation and phase competition
Source abstract
Abstract
Computation-guided selection of dopants enables the transformation of Hg 2 GeTe 4 from intrinsic to degenerate carrier concentrations and the thermoelectric performance is assessed experimentally.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Advanced Thermoelectric Materials and Devices · Advanced Semiconductor Detectors and Materials
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Affiliations
Colorado School of Mines, Golden, CO 80401, USA
University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA
Funding
National Science Foundation
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