Flexible transparent layered metal oxides for organic devices
Source abstract
Abstract
The performance of LMO-based devices exceeds that of devices constructed with the ITO. The defect-induced gap states act as Anderson–Mott localized quantum states, creating efficient conduction pathways within the LMO electrodes.
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Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · Organic Light-Emitting Diodes Research · Nanomaterials and Printing Technologies
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Affiliations
Key Laboratory of Yunnan Provincial Higher Education Institutions for Optoelectronics Device Engineering, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, 650504, China
Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, Ontario, M5S 3E4, Canada
School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China
Institute for Engineering Medicine, Kunming Medical University, Kunming, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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