Defect formation and carrier compensation in layered oxychalcogenide La 2 CdO 2 Se 2 : an insight from first principles
Source abstract
Abstract
Theoretical calculations explain that the experimentally reported nearly stoichiometric and electrical insulating behavior of undoped La 2 CdO 2 Se 2 is due to the formation of Cd vacancies and interstitials.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Electronic and Structural Properties of Oxides · Iron-based superconductors research
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Affiliations
Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, 226-8503, Japan
Funding
Japan Society for the Promotion of Science · Core Research for Evolutional Science and Technology
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