Rhodamine 6G and phloxine B as photosensitizers for inkjet-printed indium oxide phototransistors
Source abstract
Abstract
An inkjet-printed rhodamine 6G/InO x photosensitizing interlayer for In 2 O 3 thin-film phototransistors enables photosensitivity of 4.1 × 10 5 and responsivity of 250 A W −1 .
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Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · ZnO doping and properties · Nanowire Synthesis and Applications
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Affiliations
VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland
VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Kaitoväylä 1, Oulu, 90590, Finland
Funding
Academy of Finland · Business Finland
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