Surface chemical mechanisms of trimethyl aluminum in atomic layer deposition of AlN
Source abstract
Abstract
Two different pathways for decomposition of adsorbed trimethyl aluminum in the ALD of AlN have been investigated by computation chemistry. The two pathways give different saturation coverage and thus growth per cycle.
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Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · GaN-based semiconductor devices and materials · Graphene research and applications
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Affiliations
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linköping University, SE-581 83 Linköping, Sweden
Funding
Vetenskapsrådet · Stiftelsen för Strategisk Forskning
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