Contact resistances between ZnO and Ti, Al, Zn, and Bi: correlation with the density of states at Fermi energies
Source abstract
Abstract
Electronic features of interfaces formed between ZnO thin films and Ti, Al, Zn, and Bi are investigated. The contacts are ohmic, but produce different contact resistances. The results are correlated with the DOS of the respective metals at their E F .
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Advanced Thermoelectric Materials and Devices · ZnO doping and properties · Electronic and Structural Properties of Oxides
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran 16317-14191, Iran
References (56)
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