In vacuo XPS study: controlled ALD growth of Al 2 O 3 on metallic lithium enabled by plasma pretreatment
Source abstract
Abstract
Plasma pretreatments create well-defined and reproducible lithium surfaces that govern TMA reactivity, leading to precursor decomposition or ALD-like Al 2 O 3 growth.
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Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Advanced Electron Microscopy Techniques and Applications · Copper Interconnects and Reliability
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Affiliations
Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 285 S1, 9000 Gent, Belgium
Institute for Materials Research (IMO-imomec), UHasselt, Martelarenlaan 42, 3500, Hasselt, Belgium
Energyville, Thor Park 8320, 3600, Genk, Belgium
Imec Division IMOMEC, 3590, Diepenbeek, Belgium
Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium
Funding
Fonds Wetenschappelijk Onderzoek · Agentschap Innoveren en Ondernemen · Bijzonder Onderzoeksfonds UGent
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