新型GYSGG(GdxY3-xSc2Ga3O12)晶体的生长、结构及透过光谱研究

采用提拉法成功生长出高质量的GYSGG(Gd 0.63 Y 2.37 Sc 2 Ga 3 O 12 )晶体, 对其结构及透过光谱进行了研究。GYSGG晶体的晶格常数大于目前常用的GGG 和CaMgZr:GGG,介于YSGG与GSGG之间。可通过改变晶体中Gd与Y的比例, 获得应用中所需不同晶格常数的晶体基片。另外, 晶体三个结晶面的摇摆曲线有对称的形状和较小的半高宽, 表明晶体有较好的结晶完整性。观察分析了晶体三个结晶面的位错腐蚀图。透过光谱分析表明晶体有宽的透光波段, 将计算得到的折射率曲线拟合得到了折射率塞米尔方程系数。因此, GYSGG不仅是一种优良的激光基质晶体, 也是一种宽波段窗口材料和潜在的具有较大晶格常数, 并且晶格常数可调的新型磁泡应用衬底材料。