Growth and Defects Study of A:Al₂O₃ (A=Cr, Fe, Ni) Single Crystals

报道了A:Al 2 O 3 (A=Cr, Fe, Ni)晶体光学浮区法生长工艺, 研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响, 制备出了直径6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al 2 O 3 晶体. A:Al 2 O 3 晶体的生长方向为 方向, X射线双晶摇摆曲线表明A:Al 2 O 3 晶体具有良好的晶体质量. 通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究, 结果表明, A:Al 2 O 3 晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹. 研究了A:Al 2 O 3 晶体的光谱性能, 并对A:Al 2 O 3 晶体的介电性能进行了测量, 室温下1000 kHz时A:Al 2 O 3 晶体表现出较高的介电系数 e r (12.1~15.7)和较小的介电损耗tan d (0.0020~0.0002).