静电纺丝制备La 3 Si 8 O 4 N 11 : Ln(Ln=Ce 3+ 、Sm 3+ )纳米纤维及其发光性能研究

采用静电纺丝结合氨气高温气相还原的方法制备了Ce 3+ 掺杂和Sm 3+ 掺杂的La 3 Si 8 O 4 N 11 纳米纤维和微米带薄膜。XRD、FE-SEM、EDX和PL等测试方法对材料进行表征。样品在1400℃下保温9 h后的XRD图谱与La3Si8O4N11的标准卡片吻合, Sm 3+ 和Ce 3+ 的掺杂没有改变La 3 Si 8 O 4 N 11 的晶型。样品在宏观上仍保持薄膜状态。在343 nm附近紫外光的激发下, Ce 3+ 掺杂的La 3 Si 8 O 4 N 11 纳米纤维在450 nm 附近呈现出一个宽发射峰来自于Ce 3+ 5d-4f电子跃迁的发射。Ce 3+ 掺杂的La 3 Si 8 O 4 N 11 纳米纤维的衰减曲线为双衰减曲线, 荧光寿命分别为8.27和32.72 ns。而Sm 3+ 掺杂的La 3 Si 8 O 4 N 11 纳米纤维在409 nm的近紫外光的激发下, 在575、600、610和650 nm处存在四个尖锐的窄峰来自于Sm 3+ 的4f-4f电子跃迁的发射。