采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al 2 O 3 介质薄膜研究
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Abstract
采用水基原子层沉积(H 2 O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al 2 O 3 介质薄膜, 研究了Al 2 O 3 成核机理. 原子力显微镜(AFM)对Al 2 O 3 薄膜微观形态分析表明, 沉积温度决定着Al 2 O 3 在石墨烯表面的成核生长情况, 物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al 2 O 3 成核的关键, 物理吸附水分子的均匀性直接影响Al 2 O 3 薄膜的均匀性. 在适当的温度窗口(100~130℃), Al 2 O 3 可以均匀沉积在石墨烯上, AFM测得Al 2 O 3 薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm, X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明, 120℃下在石墨烯表面沉积的Al 2 O 3 薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5. 拉曼光谱分析表明, 采用H 2 O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Magnesium Oxide Properties and Applications · Anodic Oxide Films and Nanostructures · Mesoporous Materials and Catalysis
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
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