AlN与Mo-Ni-Cu活性封接的微观结构和性能分析
Source abstract
Abstract
AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98（Ag28Cu）2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示：在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良：气密性达到1.0×10-11Pa.m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Electronic Packaging and Soldering Technologies · Corrosion Behavior and Inhibition · Metal and Thin Film Mechanics
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
Reference metadata was not supplied for this record.